逆變器的主功率元件的選擇至關重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管(GTR)，功率場效應管(MOSFET)，絕緣柵晶體管(IGBT)和可關斷晶閘管(GTO)等。在小容量低壓系統(tǒng)中使用較多的器件為MOSFET，因為MOSFET具有較低的通態(tài)壓降和較高的開關頻率;在高壓中容量系統(tǒng)中一般均采用IGBT模塊，這是因為MOSFET隨著電壓的升高其通態(tài)電阻也隨之增大，而IGBT在中容量系統(tǒng)中占有較大的優(yōu)勢;而在特大容量(100KVA以上)系統(tǒng)中，一般均采用GTO作為功率元件。

⑴功率器件的分類：

①GTR電力晶體管(GiantTransistor)：

GTR功率晶體管即雙極型晶體管(bipolartransistor)，所謂雙極型是指其電流由電子和空穴兩種載流子形成的。一般采用達林頓復合結構。它的優(yōu)點是：高電流密度和低飽和電壓。它的缺點即MOSFET的優(yōu)點(見下)。

②MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTyansistor)

功率場效應模塊(金屬氧化物場效應管)：其優(yōu)點是：

開關速度快：功率MOSFET又稱VDMOS，是一種多子導電器件，參加導電的是多數載流子，沒有少子存儲現象，所以無固有存儲時間，其開關速度僅取決于極間寄生電容，故開關時間極短(小于50-100ns)，因而具有更高的工作頻率(可達100KHz以上)。

驅動功率?。汗β蔒OSFET是一種電壓型控制器件，即通斷均由柵極電壓控制。完全開通一個功率MOSFET僅要10-20毫微秒庫侖的電荷，例如一個1安培、10毫微秒寬的方波脈沖，完全開通一個功率MOSFET僅要10毫微秒的時間。另外還需注意的是在特定的下降時間內關斷器件無需負柵脈沖。由于柵極與器件主體是電隔離的，因此功率增益高，所要的驅動功率很小，驅動電路簡單。

安全工作區(qū)域(SOA)寬：功率MOSFET無二次擊穿現象，因此其SOA較同功率的GTR雙極性晶體管大，且更穩(wěn)定耐用，工作可靠性高。

過載能力強：功率MOSFET開啟電壓(閥值電壓)一般為2-6v，因此具有很高的噪聲容限和抗干擾能力。

并聯(lián)容易：功率MOSFET的通態(tài)電阻具有正穩(wěn)定系數(即通態(tài)電阻隨結溫升高而新增)，因而在多管并聯(lián)時易于均流，對擴大整機容量有利。

功率MOSFET具有較好的線性，且對溫度不敏感。因此開環(huán)增益高，放大器級數相對可減少。

器件參數一致性較好，批量生產離散率低。

功率MOSFET的缺點：導通電阻大，且隨溫度升高而增大。

⑵功率MOSFET的重要參數特性：

①漏源擊穿電壓(V)V(br)DSS：是在UGS=0時漏極和源極所能承受的最大電壓，它是結溫的正溫度系數函數。

②漏極額定電流ID：ID是流過漏極的最大的持續(xù)電流，它重要受器件工作溫度的限制。一般生產廠家給出的漏極額定電流是器件外殼溫度Tc=25℃時的值，所以在選擇器件時要考慮充分的裕度，防止在器件溫度升高時漏極額定電流降低而損壞器件。

③通態(tài)電阻RDS(ON)：它是功率MOSFET導通時漏源電壓與漏極電流的比率，它直接決定漏極電流。當功率MOSFET導通時，漏極電流流過通態(tài)電阻出現耗散功率，通態(tài)電阻值愈大，耗散功率愈大，越容易損壞器件。另外，通態(tài)電阻與柵極驅動電壓UGS有關，UGS愈高，RDS(ON)愈小，而且柵源電壓過低，抗干擾能力差，容易誤關斷;但過高的柵極電壓會延緩開通和關斷的充放電時間，即影響器件的開關特性。所以綜合考慮，一般取UGS=12-15V為宜。

手冊中給出的RDS(ON)是指器件溫度為25℃時的數值，實際上器件溫度每升高1℃，RDS(ON)將增大0.7%，為正溫度系數。

④最大耗散功率pD(W)：是器件所能承受的最大發(fā)熱功率(器件溫度為25℃時)。

⑤熱阻RΘjc(℃/W)：是結溫和外殼溫度差值相關于漏極電流所出現的熱功率的比率。其中：θ-表示溫度，J-表示結溫，C-表示外殼。

⑥輸入電容(包括柵漏極間電容CGD和柵源極間電容CGS)：在驅動MOSFET中輸入電容是一個非常重要的參數，必須通過對其充放電才能開關MOSFET，所以驅動電路的輸出阻抗將嚴重影響MOSFET的開關速度。輸出阻抗愈小，驅動電路對輸入電容的充放電速度就越快，開關速度也就越快。溫度對輸入電容幾乎沒有影響，所以溫度對器件開關速度影響很小。柵漏極間電容CGD是跨接在輸出和輸入回路之間，所以稱為米勒電容。

⑦柵極驅動電壓UGS：假如柵源電壓超過20v，即使電流被限于很小值，柵源之間的硅氧化層仍很容易被擊穿，這是器件損壞的最常見原因之一，因此，應該注意使柵源電壓不得超過額定值。還應始終記住，即使所加柵極電壓保持低于柵-源間最大額定電壓，柵極持續(xù)的寄生電感和柵極電容耦合也會出現使氧化層損壞的振蕩電壓。通過柵漏自身電容，還可把漏極電路瞬變造成的過電壓耦合過來。鑒于上述原因，應在柵-源間跨接一個齊納穩(wěn)壓二極管，以對柵極電壓供應可靠的嵌位。通常還采用一個小電阻或鐵氧體來抑制不希望的振蕩。

⑧MOSFET的截止，不要象雙極晶體管那樣，對驅動電路進行精心設計(如在柵極加負壓)。因為MOSFET是多數載流子半導體器件，只要把加在柵極-源極之間的電壓一撤消(即降到0v)，它馬上就會截止。(見參(2)p70)

⑨在工藝設計中，應盡量減小與MOSFET各管腳連線的長度，特別是柵極連線的長度。假如實在無法減小其長度，可以用鐵氧體小磁環(huán)或一個小電阻和MOSFET的柵極串接起來，這兩個元件盡量靠近MOSFET的柵極。最好在柵極和源極之間再接一個10K的電阻，以防柵極回路不慎斷開而燒毀MOSFET。

功率MOSFET內含一個與溝道平行的反向二極管，又稱“體二極管”。

注意：這個二極管的反向恢復時間長達幾us到幾十us，其高頻開關特性遠不如功率MOSFET本身，使之在高頻下的某些場合成了累贅。

⑶IGBT(IsolatedGateBipolarTransistor)絕緣門極雙極型晶體管：

通態(tài)電阻RDS(ON)大是MOSFET的一大缺點，如在其漂移區(qū)中注入少子，引入大注入效應，出現電導調制，使其特點阻抗大幅度下降，這就是IGBT。在同等耐壓條件下，IGBT的導通電阻只有MOSFET的1/10--1/30，電流密度提高了10-20倍。但是引入了少子效應，形成兩種載流子同時運行，使工作頻率下降了許多。IGBT是MOSFET和GTR雙極性晶體管的折衷器件，結構上和MOSFET很相似，但其工作原理更接近GTR，所以IGBT相當一個N溝道MOSFET驅動的pNp晶體管。特點：它將MOSFET和GTR的優(yōu)點集于一身，既具有MOSFET輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好和驅動電路簡單的優(yōu)點，又有GTR通態(tài)電壓低、耐壓高的優(yōu)點。