高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212是一款符合6級能效標(biāo)準(zhǔn)的次級反饋，反激式AC-DC高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片。芯片內(nèi)置高壓功率管，芯片內(nèi)還包含有準(zhǔn)諧振檢測、SLEEp超低待機(jī)、自供電等電路，并具有輸出短路、次級開路、過溫、過壓等保護(hù)功能。芯片采用高集成度的CMOS電路設(shè)計(jì)，具有外圍元件極少，變壓器成本低（隔離輸出電路的變壓器只需要兩個繞組）等特點(diǎn)。

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212產(chǎn)品特點(diǎn)

全電壓輸入85V—265V。內(nèi)置700V功率管。

專利的自供電技術(shù)，變壓器無需外部供電繞組，無需啟動電阻（降低成品成本）。

特有的SLEEp技術(shù)使芯片具有超低的待機(jī)功耗。

內(nèi)置pWM準(zhǔn)諧振電路，增加電源轉(zhuǎn)換效率和保證良好的EMC特性。

過溫、過流、過壓以及輸出短路，次級開路，光耦失效保護(hù)。

4KV防靜電ESD測試。

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212應(yīng)用領(lǐng)域

12W以下AC-DC應(yīng)用包括：電源適配器、充電器、電磁爐、空調(diào)、DVD、機(jī)頂盒等家

電產(chǎn)品。

極限參數(shù)

供電電壓VDD…………………………………………………………………-0.3V--8V供電電流VDD…………………………………………………………………。100mA引腳電壓…………………………………………………。..。.-0.3V--VDD+0.3V功率管耐壓…………………………………………………………。..-0.3V--730V

IS最大電壓。..?！?00mV總耗散功率………………………………………………………………1000mW工作溫度………………………………………………………。-25？C--+125？C儲存溫度………………………………………………………。-55？C--+150？C焊接溫度…………………………………………………………….+280？C/5S

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212上電啟動：

芯片內(nèi)置高壓啟動電流源；上電啟動時(shí)當(dāng)VDD電壓小于啟動電壓時(shí)，打開三極管對外部的VDD儲能電容C4充電。當(dāng)VDD電壓達(dá)到啟動電壓VCC_Start的時(shí)候，關(guān)閉啟動電流源，啟動過程結(jié)束，控制邏輯開始輸出pWM脈沖并檢測IS電阻，當(dāng)IS接電阻RS對地時(shí)，設(shè)定最大峰值電流Ip_Max=Vlim/RS（Vlim是IC6腳內(nèi)部檢測電壓最大值）；當(dāng)IS腳直接接地時(shí)，設(shè)定最大峰值電流為Ip_Max=700mA；

軟啟動：

上電啟動結(jié)束后，為防止輸出電壓建立過程可能產(chǎn)生的變壓器磁芯飽和，功率管和次級整流管應(yīng)力過大，芯片內(nèi)置軟啟動電路，在軟啟動時(shí)初級峰值電流最大為0.5倍最大峰值電流。

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212采用準(zhǔn)諧振輸出方式，當(dāng)檢測到OC諧振到最低電壓時(shí)，開通pWM輸出，打開開關(guān)管給電感充電，這樣減小了開關(guān)管的開關(guān)損耗，提高了電源的轉(zhuǎn)換效率。

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212FB檢測和反饋控制：

Fb引腳外部連接一只電容，以平滑F(xiàn)b電壓，外接電容會影響到電路的反饋瞬態(tài)特性及電路的穩(wěn)定工作，典型應(yīng)用可在1nF～10nF之間選擇；芯片依據(jù)FB電壓控制pWM輸出峰值電流和工作頻率。

SLEEp模式：

為實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗，芯片設(shè)計(jì)了SLEEp模式時(shí)，當(dāng)輸出功率逐漸下降到50mW以下時(shí)，芯片進(jìn)入SLEEp模式?？梢詫?shí)現(xiàn)系統(tǒng)超低的待機(jī)功耗（《60mW）。

自供電：

芯片使用了專利的自供電技術(shù)，控制VDD的電壓在4.7V左右，提供芯片本身的電流消耗，無需外部輔助繞組提供。自供電電路只能提供芯片自身的電流消耗，不能為外部線路提供能量。

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212過溫保護(hù)（OTp）：

芯片在內(nèi)部集成了過溫保護(hù)功能，如果因外部溫度過高或者其它異常原因造成芯片溫度過高，檢測到芯片溫度超過130℃，立即啟動過溫保護(hù)，停止輸出脈沖，關(guān)斷功率管并進(jìn)入異常保護(hù)模式，溫度異常解除后恢復(fù)正常工作。

初級過流保護(hù)：

外部變壓器初級線圈的電流過大時(shí)，軟啟動結(jié)束后，如果在pWM開通500ns時(shí)檢測

到初級線圈電流達(dá)到最大峰值電流Ip_Max，芯片立即關(guān)斷功率管，進(jìn)入異常保護(hù)模式。

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212供電電源異常：

因外部異常導(dǎo)致VCC電壓低于VCC_Min時(shí)，芯片將關(guān)斷功率管，進(jìn)行重新啟動。

因外部異常導(dǎo)致VCC電壓高于VCC_Max時(shí)，立即啟動VCC過壓保護(hù)，停止輸出脈沖并進(jìn)入異常保護(hù)模式。

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212短路和過載保護(hù)（OCp）：

次級輸出短路或者過載時(shí)，如果FB電壓連續(xù)0.8S低于短路保護(hù)閥值Vfb_L;芯片

立即關(guān)斷功率管，進(jìn)入異常保護(hù)模式。

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212異常保護(hù)模式：

芯片進(jìn)入異常保護(hù)模式后，關(guān)閉pWM輸出，啟動800ms定時(shí)器。在800ms內(nèi)，VCC

電壓下降并維持4.6V，800ms后，芯片結(jié)束異常狀態(tài)。

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212異常保護(hù)模式：

芯片進(jìn)入異常保護(hù)模式后，關(guān)閉pWM輸出，啟動800ms定時(shí)器。在800ms內(nèi)，VCC

電壓下降并維持4.6V，800ms后，芯片結(jié)束異常狀態(tài)。

高性能準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制芯片DK212我們可以通過磁芯的制造商提供的圖表進(jìn)行選擇，EE19的Ap=1243mm^4，EF20的

Ap=2231mm^4，從設(shè)計(jì)性能優(yōu)化角度以及為改善EMI設(shè)計(jì)增加初、次級屏蔽層來選擇，可以選擇EF20這款變壓器（AE=33.5，屬于標(biāo)稱值，請按實(shí)物測量為準(zhǔn)），這樣變壓器生產(chǎn)和效率，散熱上更有優(yōu)勢。